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場發射透射電子顯微鏡 檢測服務中心面向集成電路、電子元器件、半導體、PCBA、LED、汽車電子、新材料等,為客戶提供包括無損分析、失效分析、物理性能測試、微納分析、可靠性與壽命評估、工藝制程等在內的技術解決方案。


場發射透射電子顯微鏡

型號:Tecnai G2 F20 S-Twin


廠家:美國FEI 公司

主要用途1.該電鏡是一臺功能強大的材料分析型電子顯微鏡,廣泛應用于生物、醫藥、化工、金屬、半導體材料、高分子材料、陶瓷、納米材料等領域,可對材料的粒度、形貌、成分、內部結構和缺陷進行分析;
2.其配備的STEM/HAADF附件可以成和原子序數相關的像,和能譜儀結合還可以很方便的測量樣品微區元素的線分布和面分布,對于高分辨像的解析非常有利
3.像素高達2K×2K的CCD可以及時將電子顯微像轉換成數字照片進行輸出,極大的方便了用戶。
主要配置1.Gatan 894 CCD(2K×2K)2.STEM/HAADF探測器
3.美國EDAX能譜儀4.低劑量曝光
5.單傾樣品桿、雙傾樣品桿、低背景雙傾樣品桿
性能指標1.場發射電子槍2.加速電壓:20-200 kV連續調節
3.放大倍數:25-1,000,0004.點分辨率:0.24nm
5.線分辨率:0.102nm;6.信息分辨率:≤0.14nm
7.STEM分辨率:0.20 nm8.STEM放大倍數:200-100,000,000
9.EDS分辨率:優于136 eV,分辨元素范圍B5-U9210.最大樣品傾角:±40°

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